КАК ПРОВЕРИТЬ ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР и ЗАЧЕМ В НЕМ ДИОД

В справочной документации по полевым транзисторам MOSFET в символическом обозначении транзистора часто встречается символ диода, включенного параллельно цепи «сток—исток»
https://zen.yandex.ru/media/dima/kak-proverit-polevoi-tranzistor-i-zachem-v-nem-diod-5e7d7f92a834426aa2283764
На графическом обозначении транзистора иногда рисуют вместо обычного диода диод Зенера. Если бы напряжение пробоя этого зенера лежало ниже напряжения пробоя канала, он мог бы шунтировать ток и напряжение самоуиндукции тем самым защищая канал от разрушения.
В подавляющем большинстве случаев в силовых преобразовательных схемах существует необходимость шунтирования транзисторов быстрыми диодами. Но, к сожалению, в данном случае появление диода связано с технологией изготовления мощных «полевиков». Почему — к сожалению? Потому, что характеристики этого паразитного диода, называемого integral reverse p-njunction diode (интегральный обратный диод р-п-перехода), применительно к использованию в схемах преобразовательных устройств оставляют желать лучшего. Другими словами, встроенный диод оказывается слишком медленным, поэтому приходится затрачивать дополнительную энергию на его закрывание, что ведет к нагреву транзистора в целом.
Технология изготовления МОП транзисторов такова, что образуются некоторые паразитные элементы, в частности биполярный транзистор, включенный параллельно силовым выводам. См. рис.2. Он оказывает негативное влияние на характеристики транзистора, поэтому технологической перемычкой замыкают вывод истока с подложкой (замыкают переход: база-эмиттер, паразитного транзистора), а оставшийся переход: коллектор-база, образует диод, включенный параллельно стоку-истоку, в направлении обратном протеканию тока (в классической схеме включения). Параметры этого диода производители уже могут контролировать, поэтому он не оказывает существенного влияния на работу транзистора. И даже наоборот, его наличие специально используется в некоторых схематических решениях.
Именно этот диод (стабилитрон) обозначается на схематическом изображении МОП транзистора, а технологическая перемычка показана стрелкой соединенной с истоком. Существуют и транзисторы без технологической перемычки
Ведущие мировые производители элементной базы постоянно ведут небезуспешную борьбу за улучшение характеристик быстродействия обратных диодов, и их влияние становится все менее заметным, однако подавляющее большинство выпускаемых на сегодняшний момент полевых транзисторов все еще имеют паразитные диоды с достаточно большим временем обратного восстановления. Кстати, на самом деле встроенный диод получается из технологического биполярного транзистора, включенного параллельно силовым электродам полезного полевого транзистора.
#ЗачемДиодвПолевике